삼성전자는 세계 최초로 256기가비트(Gb) 3차원 V낸드 양산에 성공했다고 11일 밝혔다.　256기가 V낸드는 데이터를 저장하는 ‘3차원 셀(cell)’을 32단보다 1.5배 더 쌓아올리는 기술이 적용됐다. 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(Gb) 용량의 메모리카드를 만들 수 있다.　‘3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조’와 ‘48단 수직 적층 공정’, ‘3비트 저장기술’을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르게 저장하고 소비 전력량을 30% 이상 줄일 수 있다.　셀이 형성될 단층을 48단으로 쌓고나서 약 18억 개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 다음 총 853억 개 이상의 셀을 고속으로 동작시킨다. 각 셀마다 3개의 데이터(3비트)를 저장할 수 있어 총 2560억 개의 데이터를 읽고 쓴다. 　또 기존 32단 양산 설비를 최대한 활용해 제품 생산성을 약 40% 높였다.　업계에서 V낸드를 양산하는 업체는 삼성전자가 유일하다. 삼성전자는 작년 8월 2세대 3비트 V낸드를 생산한 지 1년 만에 3세대 3비트 V낸드를 본격 양산하는 등 3차원 메모리 기술 리더십을 확고히 하고 있다. 　삼성전자는 이번 256기가비트 V낸드가 쓰기 성능과 절전 효과를 높여 글로벌 고객들이 차세대 대규모 스토리지 시스템을 구축하는 데 기여할 것으로 기대했다. 　또 기존 128기가비트 낸드가 적용된 SSD(솔리드스테이트드라이브)와 같은 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 테라 SSD 대중화도 앞당길 것으로 보고 있다.　삼성전자는 테라 SSD 대중화를 위해 지난달 2테라바이트(TB) SSD 제품을 출시한 데 이어 3세대 V낸드 생산을 위한 투자도 계획대로 추진할 예정이다.　삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 “3세대 V낸드 양산으로 글로벌 기업과 소비자들에게 더욱 편리한 대용량 고효율 스토리지 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”며 “초고속 프리미엄 SSD 시장에서 사업 영역을 확대하며 독보적인 사업 위상을 유지해 나갈 것”이라고 말했다.　한편 삼성전자는 엔터프라이즈 및 데이터센터 시장을 더욱 빠르게 확대하기 위해 기존 2세대 32단 3비트 V낸드 기반의 대용량 SSD 모델을 글로벌 IT고객에 이어 세계 각국의 로컬 기업까지 공급을 확대하는 등 차세대 SSD 라인업을 지속적으로 출시할 예정이다.