삼성전자가 메모리 반도체 시장 불황에도 올해 2분기 메모리 시장 점유율에서는 '세계 1위' 자리를 지켜냈다.

16일 시장조사기관 옴디아(Omdia)에 따르면 삼성전자의 올해 2분기 D램 시장 점유율은 43.4%로 세계 1위를 유지했다고 밝혔다.

삼성전자의 D램 시장 점유율은 지난해 4분기 41.9%에서 올해 1분기 42.7%, 2분기 43.4%로 2개 분기 연속 상승세를 보였다.

D램 분야 2위인 SK하이닉스의 2분기 점유율은 28.1%로 1분기(27.1%)보다 1%포인트(p) 상승했다.

삼성전자와 SK하이닉스에 이어 미국의 마이크론이 시장점유율 23.6%로 3위를 차지했다. 마이크론의 시장점유율은 1분기(24.8%)보다 1.2%p 하락한 것이다.

또 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 3사의 시장 점유율은 무려 95.1%를 차지했다.

낸드플래시 시장에서도 삼성전자는 1위를 지켰다. 

다만 2분기 낸드 시장 점유율은 1분기(35.5%)보다 2.2%p 하락한 33.3%로 나타났다.

SK하이닉스(자회사 솔리다임 포함)는 20.4%로 2위였다. 이어 일본 키옥시아(16.0%), 미국 웨스턴디지털과 마이크론(각각 13.0%) 등 순이었다.

비록 글로벌 경기 침체에 따른 수요 위축 여파로 D램과 낸드플래시 가격 하락세가 이어지고 있지만 당분간 삼성전자는 메모리 시장에서 압도적 1위를 유지할 전망이다.

삼성전자는 메모리 반도체 초격차 유지를 위한 기술 개발에도 박차를 가하고 있다.

삼성전자는 지난 5일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이'에서 내년에 5세대 10나노(1㎚는 10억분의 1ｍ)급 D램, 2024년 9세대 V낸드를 양산할 계획이라고 발표했다.

특히 업계 최초로 공개한 5세대 10나노급 D램의 내년 양산 계획이 주목을 받았다. 이는 반도체 안의 회로 간격(선폭)을 10나노까지 좁게 만들겠다는 것이다.

선폭이 좁을수록 반도체 크기가 작아지면서 소비 전력은 줄고 속도는 빨라진다.

또한 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1천단 V낸드를 개발하겠다는 구체적 로드맵을 제시했다.

현재 삼성전자는 176단 7세대 V낸드를 생산하고 있다. SK하이닉스와 마이크론 등 경쟁사는 올해 200단 이상 V낸드 기술을 공개하며 '적층 경쟁'을 펼쳐왔는데, 삼성전자는 이런 상황에서 1천단까지 쌓을 기술 개발 계획을 밝힌 것이다.

다만 하반기 불어닥친 메모리 불황으로 삼성전자는 세계 반도체 매출 1위를 파운드리 분야 1위 업체인 TSMC에 내준 것으로 추정된다.

TSMC는 최근 실적발표를 통해 올해 3분기 매출액이 작년 동기보다 48% 늘어난 6천131억4천만 대만달러(약 27조5천억원)로 집계됐다고 밝혔다.

삼성전자의 파운드리 시장 점유율은 1분기 16.3%에서 2분기 16.5%로 0.2%p 상승했다.

이로써 TSMC와 삼성전자와 시장점유율 격차는 37.3%p에서 36.9%p로 줄었다.

삼성전자는 기술력에서 TSMC를 앞서나가기 위한 로드맵도 가동하고 있다.

이달 3일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2022'에서 삼성전자는 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 공정을 도입한다는 로드맵을 발표했다.

TSMC도 1.4나노 공정 개발에 착수한 것으로 알려졌지만, 구체적인 양산 로드맵을 발표한 것은 삼성전자가 처음이다.

기술력으로 TSMC를 넘고 이를 통해 더 많은 파운드리 고객을 확보하며 시장 점유율을 높여나가겠다는 구상이다.

[전국매일신문] 박선식기자 
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